近年来，随着新能源汽车、充电桩、变频家电等行业加速发展，国内IGBT需求迎来爆发，国内IGBT市场规模呈加速增长趋势。不过，IGBT市场一直被英飞凌、三菱、富士电机、安森美等少数供应商所垄断，国内功率半导体市场自给率偏低，中高端功率IGBT自给率不足10%，国产替代空间巨大。

　　而在国产替代及市场应用需求不断增长的背景下，IGBT等功率半导体景气度不断提升，产业链上相关公司受到投资者热捧，股价一路上行。

　　与此同时，国内功率半导体行业也掀起一波“上市热潮”。继华润微、新洁能、斯达半导之后，瑞能半导、中车电气、宏微科技、东微半导体、芯微电子等功率半导体企业也开启了上市征程。同时，天狼芯、芯能半导体等也获得各大资本的青睐。

　　IGBT作为能源转换和传输的核心器件，俗称为电力电子行业的“心脏”，其广泛应用于新能源汽车、工业控制、变频家电等领域。其中，新能源汽车是市场需求增长最快的领域之一。

　　中国最大的车规级IGBT厂商比亚迪半导体总经理陈刚表示，新能源汽车已从上半场的“电动化”切换到下半场的“智能化”，而智能化为车规级半导体创造巨额市场增量，带动多样化半导体增量需求。“新能源车单车半导体价值量是传统燃油车的2倍，并逐年递增。现在是2倍，未来可能是10倍。”

　　据机构预测，国内市场预计受新能源汽车渗透率提升驱动，未来五年IGBT市场规模增速中枢将在20%-23%的高增长区间，到2025年全球车载IGBT市场规模将达到60亿美金。同时，光伏风电和充电桩等也快速拉动着IGBT的需求，预计2025年IGBT整体市场有望超过100亿美金。

　　而随着IGBT需求持续增长，行业出现“供需失衡”的情况，国内市场甚至出现“一芯难求”情况。自2020年年初起，国际IGBT大厂、代工厂均受疫情影响，产能供应不足的问题持续至今。

　　一位厂商人士表示，“目前IGBT产品肯定是供不应求，公司也在加大产能和生产线的投入。不过，由于IGBT市场长期被国际巨头垄断，国内企业与之实力差距明显，即使市场空间非常大，但仍然有漫长的路需要走。”

　　据集微网之前报道，由于受到疫情影响，原本采用进口IGBT的厂商也因为供货不足，逐渐导入斯达半导、比亚迪半导体等国产供应商，国产替代苗头初现。

　　4月14日，比亚迪公告宣布全资子公司比亚迪半导体重组并拟引入战略投资者。紧接着，比亚迪半导体分别于2020年5月、6月完成A轮、A+轮融资，投资金额共计27亿元，投后估值达102亿元，战略投资者包括韩国SK集团、中芯国际、小米产业基金、红杉中国、中小企业发展基金、中金资本、国投创新、松禾资本、深创投、Himalaya Capital等国内外知名投资机构和产业资本。

　　此外，2020年以来，芯能半导体、基本半导体、天狼芯、利普思、东微半导体等10多家功率半导体厂商也受到资本市场的青睐，并成功获得融资。

　　业内人士表示，“尽管目前全球经济充满了不稳定性，但资本对于功率半导体市场的热情高涨，多家功率半导体企业获得融资，希望我国功率半导体产业能够在大量资本的助力下发展更加迅速。”

　　受到资本市场的热捧，功率半导体板块个股的股价也一路上行，士兰微近一个月股价上涨超过70%，比亚迪的股价上涨也超过40%，另外，斯达半导、新洁能等功率半导体企业的股价都有不同程度的上涨。

　　在资本热捧、市场火热及国产替代的背景下，功率半导体行业正在迎来一波上市热潮。

　　2020年以来，已有华润微、斯达半导、新洁能等功率半导体企业成功登陆资本市场。值得一提的是，已挂牌上市的功率半导体企业备受资本市场热捧，表现非常出色。如登陆主板的国内IGBT龙头企业斯达半导，其股价从上市之初的12.74元飙涨至1月8日收盘价263.20元，成为国内资本市场最牛股之一；再如新洁能，其股价也从上市之初的19.91元/股，涨到1月8日的189.26元/股。

　　上述企业的优异表现，也吸引其他功率半导体厂商加快上市的步伐。目前，中车电气、宏微科技瑞能半导等企业的IPO申请已获受理，东微半导体、芯微电子、龙腾半导体等企业亦已进入上市辅导阶段，而比亚迪半导体也进入上市前期准备工作。

　　2020年12月22日，宏微科技科创板上市申请获得上交所受理。其拟募资5.58亿元投建于新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设项目、偿还银行贷款及补充流动资金项目。

　　而中国中车下属间接控股子公司中车电气也于2020年12月30日提交的A股首发并在科创板上市申请获上交所受理。紧接着，比亚迪拟筹划控股子公司比亚迪半导体分拆上市，并授权公司及比亚迪半导体管理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹备工作。

　　另外，据证监会披露，东微半导体、芯微电子、龙腾半导体等功率半导体厂商也于近日进行上市辅导备案，开启登陆资本市场的征程。

　　业内人士对集微网表示，“IGBT作为最有潜力的半导体功率器件之一，当前市场规模快速增长，目前国产功率器件在中低端产品上替代进度很快，未来将会持续向中、高端领域延伸，国内企业将会迎来较好的发展。目前，已有不少功率半导体企业登陆资本市场，未来将会有越来越多的功率半导体企业接受资本市场的考验，资本市场也将助力功率半导体产业融资发展。”

　　在资本市场“热捧”之下，国内功率半导体产业将迎来较快发展。国元证券贺茂飞指出，在市场需求、政策、人才、资金和技术多因素催化下，国内功率半导体行业未来3-5年有望进入黄金发展期。无论是从技术追赶难度、产业化布局进度、外部因素冲击等多角度分析，功率半导体都是未来可预见的国产替代进度最快的细分领域之一。

　　关键字：IGBT引用地址：IGBT备受到资本市场“追捧”，A股将迎来一波上市热潮

　　1引言   本文根据我们多年从事直流系统开发设计及现场应用经验，试图对后备蓄电池组的充电方式进行一些探讨，，希望能起到抛砖引玉的作用，研究出一种更加合理的蓄电池组充电方法。 2现今蓄电池组充电方式存在的缺陷 在现今大部分后备电源（直流系统，ups等）中能量的存储都是用蓄电池组来实现的。那么作为不间断供电的最后一道保障的蓄电池组的性能就显得至关重要了。囿于半导体变流技术及成本的原因我们一直采用的充电方式是如下图所示的单充电机对整组串联蓄电池充电。 充电机以恒压限流方式永远与电池组并联在一起，理论上当电池组容量损失后，充电机将自动补充，但在实际应用中我们发现这种系统存在以下几方面问题。 首先，单体蓄

　　发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。 一、太阳能对逆变器的要求 通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市面上最有效也是最具发展潜力的可再生能源技术。现在，普通太阳能光伏系统都是由许多紧密相连的太阳能电池板组成。这些电池板先分组串联，再将不同的串联电池组并联起来形成电池阵列。 目前我国光伏发电系统主要是直流系统，即将太阳电池发出的电能给 蓄电池 充电，而蓄电池直接给负载供电，如我国西北地区使用较多的太阳能户用照明系统以及远离电网的微波站供电系统均为直流系统。此类系统结构简单，成本低廉，但由于

　　和MOSFET技术解析 /

　　随着绿色电力运动势头不减，包括家电、照明和电动工具等应用，以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点。为了有效地满足这些产品的需求，电源设计师正通过最少数量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太阳能源转换成所需的交流或者直流电压。 要为这些应用以高效率生产所需的交流输出电压和电流，太阳能逆变器就需要控制、驱动器和输出功率器件的正确组合。要达到这个目标，在这里展示了一个针对500W功率输出进行优化，并且拥有120V及60Hz频率的单相正弦波的直流到交流逆变器设计。在这个设计中，有一个DC/DC电压转换器连接到光伏电池板，为这个功率转换器提供200V直流输入。不过在这里没有提供太阳能电池板的详细资料，因为那方面不是我们讨论的重点

　　造就高效率太阳能逆变器 /

　　本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护米乐M6 米乐平台效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。 过流保护 生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒（SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒），耐过流量小，因此使用IGBT首要注意的是过流保护。产

　　保护电路设计总结 /

　　今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源( UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。 IGBT 技术概述 IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (FS) 第一代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步，开始采用50微米晶圆及金属背板，超薄晶圆及其背面处理工

　　实现高能效的高性能开关应用 /

　　据业内人士透露，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。 《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元（合8.694亿美元），扩大其12英寸汽车电源模块fab产能。英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案，具有高毛利率和技术门槛。 在将生产重点转向汽车电源模块的同时，IDM们也在削减用于IT应用的MOSFET的产量，导致消费级MOSFET短缺，并促使客户将订单转向中国台湾的供应商。消息人士称，后者都在加强SGT MOSFET的生产，以满足商用笔记本电脑和台式电脑的订单。 与国

　　1  前言     用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（V G(on) ），IGBT导通，负输出电压为-5V～-15V时，IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此，栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。 2  栅极电阻RG对IGBT开关特性的影响     IGBT开关特性的设定可受外部电阻R G 的影响。由于IGBT的输入电容在开关期间是变化的，

　　的开关 /

　　按照915MHz RFID电子标签的要求，设计电子标签整体电路如下。它主要由射频接口部分和控制部分组成 ，射频接口部分是研究的重点，具体设计如图1所示。 对于电子标签，射频接口部分起着至关重要的作用。非接触式电子标签能量和数据的无线传输都是由这 部分电路来完成的。所以射频接口部分是非接触式电子标签区别于接触式电子标签的技术本质所在。如图 1所示，射频接口部分主要由接收部分、发送部分和公共电路部分组成。 （1）接收部分 接收部分主要的功能是将天线上接收到的ASk幅度调制信号进行解调，恢复出数字基带信号，再送到控制 部分进行解码处理。接收部分主要由包络产生电路和检波电路组成。功能框图如图2所示。

　　的高可靠性驱动电路设计 /

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