1、HBM用在手机上？消息称三星电子和SK海力士移动HBM最早2026年实现商业化5、英特尔取消Beast Lake处理器产品线，转向高性能GPU和AI处理器

　　1、HBM用在手机上？消息称三星电子和SK海力士移动HBM最早2026年实现商业化

　　据业界消息称，三星电子和SK海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术，以实现移动设备上的AI，目标是在2026年左右实现商业化。

　　这种存储器被称为“移动HBM”，其特点是像目前服务器中使用的HBM一样堆叠DRAM。其概念是通过堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽，并具有高功效（即低功耗）的优势。它与HBM类似，通过将常规 DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量。

　　HBM 是在 DRAM 中钻微孔，并用电极连接上下层。移动HBM具有相同的堆叠概念，但正在推广一种将其堆叠在楼梯中，然后用垂直电线将其连接到基板的方法。具体来说，三星电子正在开发名为“VCS”的技术，SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。两种技术都专注于通过增加输入和输出端子来增加带宽。

　　据业内人士透露，“正在开发的下一代 DRAM将为移动设备提供与HBM类似的功能。随着AI加速器的普及，HBM市场迅速增长，我们正寻求将其扩展应用到智能手机、平板电脑和笔记本电脑等领域。”

　　尽管尚未确定如何将负责AI运算的处理器与系统其他部分连接，但目前正在讨论几种可能的方案。其中一种方案是像HBM那样，将AI处理器放置在图形处理单元（GPU）旁边。另一种方案是在AI芯片上堆叠存储器。

　　业界对移动HBM的兴趣日益增加，这是因为智能手机现在正发展成为新的AI设备。移动HBM很可能会被定制化供应给智能手机制造商或智能手机用AP开发商。这意味着，与过去大规模生产特定规格产品的供应商中心模式不同，现在正转向以需求者为中心的模式。这与此前SK海力士为苹果头戴设备“Vision Pro”供应定制化低功耗DRAM的情况类似。

　　据CFM闪米乐M6 m6米乐存市场数据，预计今年HBM Bit供应量达110亿Gb，约占DRAM Bit比重为4.8%；全年市场规模将达150亿美元，约占DRAM市场的20%。随着移动HBM的技术发展，预计未来HBM的市场规模将快速扩大，移动DRAM供需市场格局也将发生巨变。

　　三星电子设备解决方案（DS）部门最近进行了重要的组织重组，并扩充了人员，以强化其在封装领域的竞争力。据CFM闪存市场数据，三星Q2 DS部门经营利润为6.45万亿韩元(约合47.05亿美元)，环比增长238%，同比增长248%。

　　据外媒报道，三星电子已将先进封装（AVP）业务团队重组为开发团队，并且正在积极招募具有丰富经验的模拟、设计和分析专业人员，以加强研发能力。这一战略举措表明三星电子正在寻求立即可行的解决方案来加强其封装能力，并扩大组织规模以实现最大的协同效应。

　　尽管三星电子正在大力推广其交钥匙服务和FO-PLP技术，但目前尚未获得重要的大客户。对于三星电子而言，要想在封装领域领先，需要加速并扩大其在封装技术的投资规模。三星电子的重组和投资举措将如何影响其在全球封装市场的竞争力，值得业界持续关注。

　　三星电子正在测试TEL的新型气体团簇束 (GCB) 设备，该设备用于改善极紫外 (EUV) 图案化。这一测试可能会改变先进EUV光刻技术的市场格局，目前由应用材料公司主导。

　　据韩媒报道，三星电子正在测试TEL的新设备“Acrevia”。Acrevia 是TEL 的GCB 设备。这是一种利用离子束的设备，可用于对晶圆的局部区域进行整形。

　　TEL强调，Acrevia设备可以改善EUV工艺中的图案粗糙度（LER）和图案缺陷。业内人士认为，该设备将能够缩短流程并改进图案。一位熟悉三星电子的官员表示，“（TEL的新设备）与应用材料公司的‘Centura Sculpta’设备类似，目前正在测试中，希望能够应用于未来的量产过程。”

　　业界预计通过应用TEL新设备可以提高利润率，主要原因有两个：首先可以通过照射离子束来进行图案成形。使用此功能，需要 EUV 多重图案化的电路只需使用单一图案即可进行雕刻。此外，还可以消除 EUV 图案化过程中出现的随机误差。随机误差是指随机且不重复的误差。错误频繁发生，占 EUV 图案错误的 50%。

　　TEL一位高管表示，其客户正在进行设备测试，预计将首先应用于代工工艺，而不是存储器工艺。

　　随着TEL的新设备受到好评，预计EUV图案改进设备市场将发生变化。目前，该市场的领导者是应用材料公司。该公司通过向三星电子和英特尔等公司提供去年推出的 Centura Sculpta 来加强其市场主导地位。在去年 4 月，应用材料宣布正在三星电子 4 纳米工艺上测试 Centura Sculpta 设备。该设备还通过照射离子束来改善晶圆上的图案错误。另外，据了解，桥缺陷去除功能正在2nm工艺中进行测试。

　　据CFM闪存市场了解，三星和SK海力士已在1a和1b nm技术节点引入了EUV设备，今年它们还将推出1c nm DRAM，并增加EUV技术的使用，美光则将在1γnm节点首次引入EUV技术，并于2025年量产。

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　　今日上午，华为终端发布一则“非凡臻品，再启华章”信息的预热视频，并表示华为Mate XT非凡大师即将登场！华为常务董事、终端BG董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东发布微博宣布即将推出的产品名为华为Mate XT非凡大师。

　　尽管视频尚未透露产品的具体细节，但通过视频结尾所展示信息推测，新品或为华为非凡大师品牌的首款三折叠屏产品。华为见非凡品牌盛典及鸿蒙智行新品将举行发布会将于9月10日14:30举行。

　　华为日前发布2024年上半年经营业绩显示，上半年实现销售收入4175亿元人民币，同比增长34.3%，净利润率13.2%。照此推算，华为2024年上半年净利润为551.1亿元，同比增长超18%，首次突破500亿元大关。分析显示，华为的收入增加主要得益于其消费者业务的强劲反弹，特别是Mate系列和Pura系列手机的销售回升，以及智能汽车、华为云服务和数字能源解决方案业务的迅猛增长。

　　5、英特尔取消Beast Lake处理器产品线，转向高性能GPU和AI处理器

　　据消息称，英特尔已经决定取消其Beast Lake处理器产品线。这一决策是在英特尔CEO 帕特・基辛格的主导下进行的，标志着英特尔将不再专注于研发高性能的CPU核心，而是将更多的资源和注意力转移到GPU和AI处理器的开发上。

　　消息指出，英特尔的这一转变部分是由于开发高性能CPU核心的高昂成本。在Royal Core的开发上耗费了大量资金后，英特尔不得不寻求削减开支，因此决定淘汰基于Royal Core的Beast Lake产品线。Royal Core是英特尔在CPU设计上的一个重要尝试，旨在提供更高性能的核心设计，但最终因成本问题而被迫放弃。

　　此外，英特尔在CPU设计方面的研发方向也发生了变化：不再追求可以拆分成更小线程的内核设计，而是转向研发可以堆叠在一起形成巨型高性能内核的核心设计。这种设计理论基于一个巨大的高性能内核可以提供极高的单核性能，同时在需要更好的多核性能时，又可以灵活地拆分成较小的可租用单元（RU）。

　　英特尔的这一战略调整反映了市场对高性能处理器需求的变化，以及m6米乐官网 米乐M6平台入口对未来技术发展趋势的预判。随着AI和GPU在多个领域的应用日益广泛，英特尔的这一决策可能是为了更好地适应市场，满足客户对高性能计算解决方案的需求。尽管Beast Lake产品线的取消可能会对一些期待该系列产品的消费者造成影响，但从长远来看，这可能是英特尔在激烈的市场竞争中保持领先地位的必要之举。

　　2024年上半年，中国大陆在芯片制造设备上的支出显著增长，达到250亿美元，约合1779.40亿元人民币，这一数字超过了韩国、中国台湾地区和美国的总和。SEMI数据显示，中国大陆在全球半导体设备市场中占据了领先地位，成为全球顶级芯片设备供应商的最大营收来源。

　　美国半导体设备厂应用材料、泛林集团和科磊等公司最新公布的季度财报显示，中国大陆市场对这些公司营收的贡献率达到了44%。此外，日本TEL和荷兰ASML的财报也表明，中国大陆市场对这两家公司的收入贡献更为显著，TEL 6月份当季49.9%的收入和荷兰ASML 49%的收入均来自中国大陆。